檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "黃鶯聲".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="葉文昌"
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本研究探討準分子雷射結晶化矽厚膜可行性，並以此膜製作薄膜太陽能電池。研究發現，雷射退火矽膜之最高厚度為700 nm，並出現完全溶化之碟狀結晶(Disc grain)。利用SLS法後可再室溫下產生7 …
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術，其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份，本研究以Raman、RHEED系統量測…
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本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源，經旋轉塗佈於Textured單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。以此方式製作太陽電池，於標準AM 1.5光源下，雖不具抗反射膜，但轉換效率可達9.93…
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為了實現塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功地利用反應式濺鍍的方式來沉積對351nm波長具備0~56000cm-1吸收係數之SixNy半透光膜，並配合熱滯留輔助結晶技術，在塑膠基板上開發出超低溫多晶矽…
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我們已經成功利用熱滯留層輔助結晶技術，經由準分子雷射退火後，可以實現全部充滿橫向成長寬度14um長的矽島。然後我們結合全部橫向長晶的矽島和雙閘極的架構去製造高性能的薄膜電晶體。 另外我們成功地開發了…
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本論文研究半透光膜輔助矽膜雷射長晶，在Si (90 nm)/SiO2 (100 nm)/SiONx (1200 nm)，α=15000 cm-1條件下，成功得到20 µm的矽晶粒，並利用…
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本研究成功以蔽蔭遮罩圖案化製程製作多晶矽薄膜電晶體和多晶矽反相器，所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為30和80 μm，載子移動率分別為12.19和6.5 cm2/V-s，ION/IOFF…
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體，其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜，利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2，介面陷阱密度為6.4×…
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本研究以Silvaco公司所開發的元件模擬軟體ATLAS模擬單晶矽太陽能池並觀察n+層(射極)及p+層的厚度及摻雜濃度對元件特性的影響，模擬結果顯示，n+層最佳厚度為0.3μm摻雜濃度為5×1018…
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成功的利用濺鍍法，配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式，製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上，所製作的TFT On/Off電流比為103，Mobility為10 cm2/V-S， Threshold vo…